Gözýetimde 6G : GaN materialyndaky “berkitiji täsiri” arkaly ýarymgeçirijiler has güýçli boldy
25.05.2025 | 16:25 |
Halkara inženerler we alymlar topary galliý nitrit (GaN) esasly ýarymgeçirijileriň işlenip düzülmeginde uly ylmy açyş etdiler. Bu üstünlik 6G tehnologiýasynyň ösüşi üçin örän möhüm ähmiýete eýedir. 6G ulgamlary öz-özüni dolandyrýan ulaglar we wirtual hakykat ýaly tehnologiýalar üçin has ýokary maglumat geçiriş tizligini talap edýär.
Alymlar GaN esasly radioýygylyk güýçlendirijileriniň täze arhitekturasyny hödürlediler. Bu işde möhüm tapyndy — öň tanalmaýan täze fiziki hadysa bolan “berkitiji täsiri” boldy. Ol ýokary ýygylykly akymlary durnukly dolandyrmaga mümkinçilik berýär. Topar müñlerçe nanogyralar arkaly tok akymyny ugrukdyrýan we ýokary gözenek täsirli meýdan tranzistorlaryny (SLCFET) synagdan geçirdi. Bu komponentler W-diapazonynda (75–110 GHz) rekord öndürijiligi görkezdi — bu bolsa 6G ulgamlary üçin niýetlenen ýygylyk aralygydyr.
Bristol uniwersitetiniň professory Martin Kuball bu täze fiziki hadysanyň enjamlaryň durnukly we ýokary ýygylykda işlemegine ýol açandygyny belledi.
Alymlar diňe bir berkitiji täsiriniň döreýän nokadyny anyklamak bilen çäklenmän, eýsem onuň uzak möhletleýin synaglarda hem durnuklydygyny subut etdiler — enjamda hiç hili ýaramazlyga ýol berilmedi. Şeýle durnuklylyk, her bir nanogyralaryň daşyna çekilen inçe dielektrik örtük bilen hem üpjün edilýär.
Bu ylmy açyş täze nesil energiýa tygşytlaýan, köp wezipeli çipleriň döredilmegine ýol açýar — bu bolsa geljekki hasaplaýyş tehnologiýalarynyň, kwant ulgamlarynyň we 6G torlarynyň binýadydyr.
ORIENT
