6G на горизонте: благодаря «эффекту фиксатора» в GaN, полупроводники стали мощнее
Международная группа инженеров и учёных совершила прорыв в разработке полупроводников на основе нитрида галлия (GaN), что критически важно для развития 6G. Переход к 6G требует значительно более высоких скоростей передачи данных для таких технологий, как автономный транспорт и виртуальная реальность.
Исследователи представили новую архитектуру радиочастотных усилителей на GaN. Ключевым открытием стал «эффект фиксатора» — ранее неизвестное физическое явление, обеспечивающее стабильное управление током на высоких частотах. Команда протестировала полевые транзисторы с эффектом сверхрешётки (SLCFET), использующие тысячи наноребер для направления тока. Эти компоненты показали рекордную производительность в W-диапазоне (75–110 ГГц), предназначенном для 6G-сетей.
Как отметил профессор Мартин Кубалл из Университета Бристоля, это новое физическое явление открыло путь к стабильной и высокочастотной работе устройств.
Исследователи не только локализовали точку возникновения эффекта фиксатора, но и подтвердили его стабильность долгосрочными тестами, не выявив признаков деградации. Стабильность также обеспечивается тонким диэлектрическим покрытием вокруг каждого наноребра.
Этот прорыв открывает путь к созданию энергоэффективных, многофункциональных чипов нового поколения — основы для будущей вычислительной техники, квантовых систем и сетей 6G.
ORIENT
